삼성전자, 내년 10나노급 D램 양산·2030년 1000단 V낸드 개발

美 실리콘밸리서 '삼성 테크 데이' 개최
'5세대 10나노급 D램' 등 신기술로 시장 패러다임 전환
'통합 솔루션 팹리스' 목표 공개

이정배 삼성전자 메모리사업부장 사장이 5일(현지시간) 미국 실리콘밸리에서 열린 '삼성 테크 데이 2022'에서 발표를 하고 있는 모습. /삼성전자 제공

[더팩트 | 서재근 기자] 삼성전자가 5일(현지시간) 미국 실리콘밸리에서 '삼성 테크 데이 2022'를 개최하고, 차세대 반도체 솔루션과 로드맵을 공개했다.

◆ 시스템 반도체 간 시너지 극대화…"통합 솔루션 팹리스 될 것"

삼성전자는 이날 시스템 반도체 제품 간 시너지 극대화를 통해 '통합 솔루션 팹리스'로 거듭나겠다고 밝혔다.

약 900개의 시스템 반도체 포트폴리오를 보유한 삼성전자는 제품 기술을 융합한 '플랫폼 솔루션'으로 고객 니즈에 최적화한 통합 솔루션을 제공해 나갈 계획이다.

박용인 시스템LSI사업부장(사장)은 "사물이 사람과 같이 학습과 판단을 해야 하는 4차 산업혁명 시대에서 인간의 두뇌, 심장, 신경망, 시각 등의 역할을 하는 시스템 반도체의 중요성은 그 어느 때보다 커질 것"이라며, "삼성전자는 SoC, 이미지센서, DDI, 모뎀 등 다양한 제품의 주요 기술을 유기적으로 융합해 4차 산업혁명 시대를 주도하는 '통합 솔루션 팹리스'가 될 것"이라고 말했다.

SoC(System on Chip)에서는 NPU(Neural Processing Unit), 모뎀 등과 같은 주요 IP의 성능을 개선하는 동시에 글로벌 파트너사들과 협업해 업계 최고 수준의 CPU, GPU를 개발하는 등 SoC의 핵심 경쟁력 강화할 계획이다. 또, 사람의 눈에 가까운 초고화소 이미지센서를 개발하고, 사람의 오감을 감지하고 구현할 수 있는 센서도 개발할 예정이다.

삼성전자는 이번 행사에서 차세대 차량용 SoC '엑시노스 오토 V920', 5G 모뎀 '엑시노스 모뎀 5300', QD OLED용 DDI 등 신제품과 프리미엄 모바일AP '엑시노스 2200', 업계 최소 픽셀 크기의 2억 화소 이미지센서 '아이소셀 HP3', '생체인증카드'용 지문인증IC 제품 등 첨단 시스템 반도체 제품을 선보였다.

'엑시노스 2200'은 최첨단 4나노 EUV 공정, 최신 모바일 기술, 차세대 GPU, NPU가 적용된 제품으로 게임, 영상처리, 인공지능(AI) 등 다양한 영역에서 새로운 차원의 사용자 경험을 제공한다. 0.56㎛ 크기 픽셀의 아이소셀 HP3는 픽셀 크기를 기존 제품 대비 12% 줄여 모바일기기에 탑재할 카메라 모듈 크기를 최대 20%까지 축소하는 것이 가능해졌다.

지문인증IC는 삼성전자가 업계 최초로 카드에 각각 탑재하던 하드웨어 보안칩(SE, Secure Element), 지문 센서, 보안 프로세서를 하나의 IC칩에 통합한 제품으로 신용카드 사용자의 편의성을 높인다.

박용인 삼성전자 시스템LSI사업부장이 5일(현지시간) 미국 실리콘밸리에서 열린 '삼성 테크 데이 2022'에서 발표를 하고 있는 모습. /삼성전자 제공

◆ 2030년 '1000단 V낸드' 개발…메모리 반도체 시장 선도

메모리 반도체 세션에서 삼성전자는 '5세대 10나노급(1b) D램', '8·9세대 V낸드'를 포함한 차세대 제품 로드맵을 공개했다.

이정배 삼성전자 메모리사업부장(사장)은 "삼성전자가 약 40년간 만들어낸 메모리의 총 저장용량이 1조 기가바이트(GB)를 넘어서고, 이중 절반이 최근 3년간 만들어졌을 만큼 우리는 급변하는 디지털 전환을 체감하고 있다"며 "향후 고대역폭, 고용량, 고효율 메모리를 통해 다양한 새로운 플랫폼과 상호진화하며 발전해 나갈 것"이라고 말했다.

삼성전자는 폭발적으로 증가하고 있는 데이터 사용량을 감당하기 위해 HBM-PIM(Processing-in-Memory), AXDIMM(Acceleration DIMM), CXL(Compute Express Link) 등 다양한 시스템 아키텍처를 지원할 수 있는 차세대 D램 기술의 성장을 위해 글로벌 IT 기업들과 파트너십을 공고히할 방침이다.

데이터센터용 고용량 32Gb DDR5 D램, 모바일용 저전력 8.5Gbps LPDDR5X D램, 그래픽용 초고속 36Gbps GDDR7 D램 등 차세대 제품을 적기에 출시하고, 오는 2023년 '5세대 10나노급 D램'을 양산할 예정이다.

5일(현지시간) 미국 실리콘밸리에서 열린 '삼성 테크 데이 2022' 현장. /삼성전자 제공

아울러 삼성전자는 2024년 9세대 V낸드를 양산하고, 2030년까지 1000단 V낸드를 개발하는 등 혁신적인 낸드 기술로 새로운 패러다임을 제시하겠다고 밝혔다.

차랑용 메모리 분야에서는 자율 주행(AD), 첨단 운전자 지원 시스템(ADAS), 인포테인먼트(IVI), 텔레매틱스 등을 위한 최적의 메모리 솔루션을 공급해 2025년 차량용 메모리 시장에서 1위를 달성할 계획이다.

지난 2017년 시작된 '삼성 테크 데이'는 삼성전자의 차세대 반도체 기술을 선보이는 자리로, 이번 행사는 2019년 이후 3년 만에 오프라인으로 진행됐다.

올해 '삼성 테크 데이'는 글로벌 IT 기업과 애널리스트, 미디어 등과 삼성전자 메모리사업부장 이정배 사장, 시스템LSI사업부장 박용인 사장, 미주총괄 정재헌 부사장을 포함해 800여 명이 참석한 가운데 진행됐다.

likehyo85@tf.co.kr

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