(서울=연합뉴스) 삼성전자는 세계 최초로 파운드리(반도체 위탁생산) 3나노미터(㎚, 10억분의 1ｍ) 공정 초도 양산을 시작했다고 30일 공식 발표했습니다.
반도체 회로 선폭을 의미하는 3나노 공정은 현재 반도체 제조 공정 가운데 가장 앞선 기술로, 이 공정에선 파운드리 업계 1위 기업인 대만 TSMC보다 삼성전자가 앞섰는데요. 지금까지 삼성전자와 TSMC의 최선단(최소선폭) 공정은 4나노였습니다.
회로 선폭을 미세화할수록 반도체 소비전력이 감소하고 처리 속도가 향상되는데 삼성전자는 이번 3나노 공정에서 차세대 트랜지스터 구조인 'GAA'(Gate-All-Around) 신기술을 세계 최초로 적용하며 기술 혁신을 이뤄냈습니다.
GAA 기술은 공정 미세화에 따른 트랜지스터의 성능 저하를 줄이고, 데이터 처리 속도와 전력 효율을 높일 수 있어 기존 핀펫(FinFET) 기술에서 한 단계 진보된 차세대 반도체 핵심 기술로 손꼽히는데요.
삼성전자는 3나노 GAA 1세대 공정이 기존 5나노 핀펫 공정과 비교해 전력을 45% 절감하면서 성능은 23% 높이고, 반도체 면적을 16% 줄일 수 있다고 설명했습니다.
내년에 도입될 예정인 3나노 GAA 2세대 공정은 전력 50% 절감, 성능 30% 향상, 면적 35% 축소 등의 성능이 예상된다고 회사는 부연했습니다.
삼성전자는 이번 3나노 양산을 계기로 세계 1위 파운드리 기업 대만 TSMC 추격에 속도를 낸다는 계획인데요.
영상으로 보시죠.
<제작 : 이봉준·김현주>
<영상 : 연합뉴스TV·화성시청 제공·삼성전자·TSMC>
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(서울=연합뉴스) 삼성전자는 세계 최초로 파운드리(반도체 위탁생산) 3나노미터(㎚, 10억분의 1ｍ) 공정 초도 양산을 시작했다고 30일 공식 발표했습니다.
반도체 회로 선폭을 의미하는 3나노 공정은 현재 반도체 제조 공정 가운데 가장 앞선 기술로, 이 공정에선 파운드리 업계 1위 기업인 대만 TSMC보다 삼성전자가 앞섰는데요. 지금까지 삼성전자와 TSMC의 최선단(최소선폭) 공정은 4나노였습니다.
