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03.30 (토)

삼성전자, '60조' 규모 반도체 투자 단행할까…초격차 속도전

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삼성전자가 올해 국내와 미국에서의 반도체 투자를 확정하고 이를 공식화할 전망이다. /삼성전자 제공

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상반기엔 '파운드리' 하반기엔 '메모리+비메모리' 투자 단행

[더팩트│최수진 기자] 삼성전자가 연내 반도체 분야에서 수십조 원 규모에 달하는 투자를 단행할 지 관심이 쏠린다.

21일 업계에 따르면 삼성전자는 이르면 5월에 미국에서 반도체 비메모리 분야 투자 계획을 발표한다.

업계에서는 삼성전자의 투자 발표 시기를 다음 달 진행되는 한미 정상회담 전후로 예상하고 있다. 내달 20일 문재인 대통령은 조 바이든 미국 대통령의 초청으로 미국 워싱턴DC를 방문할 예정이다. 이에 삼성전자가 우리 정부의 움직임에 발을 맞추기 위해 내달 세부적인 투자 계획을 발표하는 게 아니냐는 의견에 무게가 실리고 있다.

삼성전자는 현재 미국에서 약 170억 달러(약 19조 원) 규모의 파운드리 투자를 계획 중이다. 미국 텍사스주에 있는 삼성 파운드리 공장(오스틴 공장)을 증설하는 방향이다. 현재 현지 세금 문제 등을 검토하고 있는 것으로 알려졌다.

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삼성전자는 지난 12일(현지시간) 조 바이든 미국 대통령이 주재한 반도체 업계와의 온라인 이벤트에 참석해 차량용 반도체 부족 문제에 대해 논의했다. /AP.뉴시스

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이는 조 바이든 미국 대통령이 지난 12일 반도체 업계와의 온라인 이벤트를 열고 차량용 반도체 부족 현상에 대한 문제에 대해 논의한 것과 무관하지 않다는 게 업계의 중론이다.

당시 바이든 대통령은 "미국 반도체 산업을 강화하고 미국의 공급망을 확보하는 방법에 관해 이야기하기 위해 자리를 마련했다"며 "인프라 구축은 매우 중요하다. 우리는 미국 전역의 노동자와 미국 사회를 지원하기 위해 여러분이 필요하다. 미국을 위해 단결하자. 글로벌 경쟁에 맞설 준비가 됐는지 확인하자"고 강조하며 반도체 기업들의 투자 확대를 요구한 바 있다.

아울러 하반기에는 메모리와 비메모리 투자가 모두 포함되는 삼성전자 평택캠퍼스 제3공장(P3)에 대한 투자 방안도 공개될 것으로 예상된다.

삼성전자 평택캠퍼스는 D램, 차세대 V낸드, 초미세 파운드리 제품까지 생산하는 첨단 복합 생산라인이다. 평택 제1공장(P1)은 2015년 6월 착공을 시작했고, 제2공장(P2)은 2018년 1월 착공한 바 있다.

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올 하반기에는 약 40조 원 규모의 평택캠퍼스 제3공장 투자 방안을 확정지을 것으로 보인다. /삼성전자 제공

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P3 생산라인은 연면적만 70만㎡(약 21만 평)로, 30조 원이 들어간 P2 라인 대비 1.75배 규모가 크다. 글로벌 기준에서도 세계 최대 규모의 생산라인이다. 이에 업계에서는 P3 투자 규모를 약 40조 원 안팎으로 내다보고 있다. P3 생산라인은 지난해 하반기 기초 토목공사를 시작했으며, 연내 외관 공사가 마무리될 것으로 예상된다.

이에 올해 반도체 투자에 들어가는 금액은 약 60조 원 이상으로 추산된다. 투자가 실현될 경우 경쟁사와의 기술 격차를 벌릴 수 있을 것으로 보인다. 경쟁사인 대만 TSMC는 올해 설비투자에 약 300억 달러(약 33조 원)를 집행한다고 밝혔으며, 미국 인텔은 200억 달러(약 22조 원)의 투자를 단행한다고 했다.

jinny0618@tf.co.kr


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