삼성·SK하이닉스보다 빨랐다... 美 마이크론, 4세대 D램도 최초 출하

마이크론, 10나노급 4세대 1a D램 출하
176단 고적층 낸드도 ‘기습 양산’
메모리 반도체 세계 1·2위 삼성·하이닉스 앞질러
삼성·하이닉스, 4세대 D램 하반기 양산 예정

마이크론 대만 팹. /마이크론

176단 낸드플래시를 세계 최초로 양산했다고 지난해 11월 발표한 미국 마이크론 테크놀로지가 이번에는 10나노미터(㎚·1나노미터는 10억분의 1미터)급 공정을 도입한 4세대 D램을 세계 최초로 출하했다고 밝혔다. 삼성전자와 SK하이닉스는 초고적층 낸드플래시에 이어 차세대 D램에서도 세계 3위 마이크론의 추월을 허용했다.

26일(현지시각) 마이크론에 따르면 1a D램은 대만 팹(공장)에서 생산된다. 스콧 디보어 마이크론 부사장은 "기존 10나노급 3세대(1z) 제품보다 집적도는 40% 개선됐고, 전력효율성은 15% 향상됐다"고 밝혔다.

1a D램 양산·출하는 세계에서 마이크론이 최초다. 1a D램은 10나노 공정으로 생산하는 4세대 D램을 뜻하는데, 보통 D램 제조사들은 1세대 1x를 출하한 이후 회로 선폭을 줄일 때마다 1y, 1z, 1a 등으로 이름을 붙였다. 다음 5세대는 1b가 되는 셈이다. 마이크론의 1a D램은 13~14나노 공정에서 만들어지는 것으로 추정된다.

마이크론이 세계 최초로 발표한 176단 낸드플래시의 개념도. /마이크론 홈페이지

올 하반기 1a D램 출하를 계획하고 있는 삼성전자와 SK하이닉스는 마이크론의 1a D램 기습 출하로 또 한번 뒤통수를 맞았다.

앞서 지난해 11월 마이크론은 176단 낸드플래시를 세계 최초로 출하했다고 밝혔다. 이어 지난해 12월 SK하이닉스가 176단 낸드플래시 개발 완료를 알렸지만 양산까지는 이르지 못하고 있다. 삼성전자는 현재 낸드플래시에 128단 이상을 적용하고 있지 않다.

낸드플래시는 데이터를 저장할 수 있는 공간인 셀을 높게 쌓아 올린 것을 기술력으로 평가 받는데, 셀 층수에 따라 단수를 표기한다.

SK하이닉스가 최근 개발을 완료한 176단 4D 낸드 기반 512Gb TCL. /SK하이닉스 제공

현재 삼성전자와 SK하이닉스는 극자외선(EUV) 공정을 1a D램에 적용하기 위한 설비를 구축 중이다. 마이크론은 EUV가 아닌 기존의 불화아르곤(ArF) 공정으로 이번 1a D램을 생산한 것으로 알려졌다.

김양혁 기자(present@chosunbiz.com)

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