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"내년 반도체 활황…D램 20%, 낸드 30% 성장"

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내년에 전 세계 D램시장은 약 15~20%, 낸드플래시는 30% 성장하는 등 반도체시장이 올해보다 더욱 활황을 보일 것이라고 삼성전자가 내다봤다. 삼성전자는 "극자외선(EUV) 노광장비, 더블 스택 낸드 같은 최첨단 기술"로 시장 석권 의지를 강조했다.

1일 삼성전자에 따르면 이 회사는 지난달 30일 국내외 기관투자가를 초청해 연 '삼성전자 투자자 포럼 2020'을 통해 이 같은 전략을 공개했다. 한진만 삼성전자 디바이스솔루션(DS) 부문 메모리 사업부 마케팅 담당 전무는 "코로나19로 디지털 트랜스 포메이션이 가속화하면서 메모리 수요가 늘고 있다"며 "내년 D램 수요는 올해보다 10% 후반에서 20%까지, 낸드는 30~35% 증가할 것으로 예상한다"고 설명했다. 이어 한승훈 삼성전자 DS부문 파운드리(수탁생산) 사업부 전무도 "2025년까지 파운드리시장은 1300억달러(약 144조원) 규모로, 연평균 9% 넘게 성장할 것으로 예상된다"며 "파운드리 공급자는 매년 줄어 현재 두 곳(삼성전자·TSMC)만이 첨단 파운드리 서비스를 제공 중"이라고 말했다.

D램과 낸드시장 1위를 달리는 삼성전자는 최근 미국 마이크론이 세계 최초 176단 적층(V) 낸드 양산을 발표하면서 내부 긴장감이 고조되고 있다. 1마이크로미터(㎛) 높이 셀을 차곡차곡 쌓아 만드는 첨단 적층 낸드는 쌓는 단이 높을수록 용량 등 성능이 향상된다. 삼성전자는 6세대 128단 낸드까지 한 덩어리로 단을 쌓는 '싱글 스택' 기술로 기술 초격차를 유지해왔다.

삼성전자는 공정 수가 많아 더 어렵지만 단 수를 두 배로 늘릴 수 있는 '더블 스택' 카드를 내놨다. 한진만 전무는 "차세대 7세대 V낸드는 더블 스택 기술을 적용할 예정"이라며 "현재 6세대 V낸드는 싱글 스택으로 128단을 쌓는데, 더블 스택 기술을 활용하면 단순 계산으로 256단 적층까지 가능하다"고 말했다. 그러면서 "실제 적층 단 수는 내부 전략에 따라 달라진다. '얼마나 쌓느냐'가 아니라 '현 시점에서 시장에 최적화한 단 수가 얼마냐'의 문제"라고 덧붙였다. 삼성전자는 내년에 7세대 V낸드를 양산할 계획이다.

[이종혁 기자 / 박재영 기자]

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