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삼성전자 "V낸드 기술 자신감... 더블스택 기술 우위 가질 것"

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삼성전자 6세대 V낸드가 탑재된 SSD <사진=삼성전자>

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삼성전자가 차세대 낸드플래시와 D램에서 차별화한 기술로 시장을 선도하겠다고 밝혔다.

삼성전자는 30일 투자자를 대상으로 '인베스터 포럼 2020'을 개최하고 자사 차세대 메모리 기술을 설명했다.

한진만 삼성전자 전무는 '코로나19 시대에 대응하는 삼성전자 전략과 메모리 시장 예상'이라는 주제 발표에서 7세대 낸드플래시가 '더블스택' 기술로 제작될 것이라고 밝혔다.

더블스택은 적층된 저장 공간의 층 간 전기적 연결을 돕는 '채널 홀'을 두 번에 나눠 뚫는 작업을 뜻한다. 삼성전자는 그동안 채널 홀을 한 번에 뚫는 싱글스택 기술을 사용해 왔다.

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삼성전자가 낸드플래시 더블스택 기술을 언급했다. <자료=삼성전자>

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한 전무는 “6세대에서 활용한 고난도 싱글스택 기술을 7세대 V낸드에 도입할 계획”이라면서 “더블스택이지만 생산성을 극대화한 공정을 구현할 것”이라고 강조했다.

한 전무는 더블스택 기술이 기존 대비 공정 수 증가로 단가가 최소 10% 오른다면서도 “평범한 더블스택 기술이 아닐 것”이라고 강조했다. 같은 더블스택이라 해도 타사와는 확실한 차이점이 있다는 설명이다. 한 전무는 “지금까지 삼성이 구현한 낸드플래시의 높이는 경쟁사 대비 낮아 기술 경쟁력이 있다”고 덧붙였다.

낸드플래시는 저장 공간을 아파트처럼 세로로 쌓아 올린 칩이기 때문에 적층 수를 높이면서 칩의 높이는 낮추는 기술이 핵심이다.

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삼성전자에서 밝힌 타사 대비 낸드플래시 높이 비교. <자료-삼성전자>

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한 전무는 “삼성전자의 92단 TLC 낸드보다 경쟁사 세 곳의 96단 트리플레벨셀(TLC) 낸드가 최대 30% 높다”면서 “삼성전자가 갖춘 최고의 셀 설계, 적층 기술로 차별화한 가격 경쟁력을 구현할 것”이라고 전했다.

D램에서는 극자외선(EUV) 기술을 적극 활용, 기술 및 시장을 선도할 계획이라고 밝혔다.

삼성전자는 올해 10나노급 3세대(1z) D램에 EUV 공정을 세계 최초로 적용하면서 EUV 기반 차세대 D램 양산 능력을 끌어올리고 있다. 한 전무는 “사내 EUV 생태계를 갖추고 EUV 관련 팀을 꾸려 운영하고 있다”이라고 말했다.

삼성전자는 내년 D램과 낸드 시장이 올해보다 성장할 것으로 내다봤다. 내년 D램의 비트그로스(비트 단위 출하량 증가율)는 올해보다 10% 후반에서 20%, 낸드플래시는 30% 각각 성장할 것으로 예상했다.

업계에서는 삼성전자가 내년에 공격적인 메모리 설비 투자에 나설 것으로 보고 있다. 내년 상반기에만 반도체 팹 한 개 규모에 맞먹는 12인치 웨이퍼 기준 월 10만장 이상을 투자할 것이란 관측이 나온다.

한편 이번 포럼에는 한 전무 외에 박용인 시스템LSI사업부 부사장, 한승훈 파운드리사업부 전무 등 삼성전자 반도체 핵심 경영진이 나와 이미지센서와 파운드리 사업에 대해 소개했다.

강해령기자 kang@etnews.com

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