삼성, 평택캠퍼스 ‘P3’ 이르면 9월 착공

최첨단 공정 갖춘 반도체 제3 생산라인

30조 이상 투자… 글로벌 초격차 유지 의지

평택캠퍼스 P2라인 전경. 삼성전자 제공

삼성전자 ‘반도체 비전 2030’의 중추기지인 경기 평택캠퍼스 ‘P3’ 라인이 이르면 다음달 착공에 돌입한다. 단일 라인에 30조원 이상의 과감한 투자로 글로벌 반도체 시장에서 ‘초격차’를 지키겠다는 의지로 풀이된다.

10일 업계에 따르면 경기 평택 삼성전자 반도체 제3 생산라인(P3)의 본격적인 착공이 이르면 9월 시작된다. 삼성전자는 지난 6월부터 P3 1층 건설에 대한 허가를 받아 기초 토목공사를 진행 중이다. 건축법상으로 착공에 들어간 것인데, 건물을 올리는 본격적인 착공은 9∼10월이 될 예정이다.

P3 라인은 최첨단 공정인 극자외선(EUV) 라인을 갖춘 생산시설로 메모리반도체와 시스템반도체 혼용팹(공장)으로 운영될 것으로 예상된다. 모두 6개 생산라인이 들어서는 평택 캠퍼스에서 P3 라인의 규모가 가장 크다. P3 라인이 착공되면 평택캠퍼스에 계획된 6개의 생산라인 중 절반이 가동 중이거나 공사 중인 상태가 된다.

삼성전자의 반도체 공장이 건설과 설비 반입, 생산 등에 총 3∼4년이 걸리는 점을 감안하면, P3 라인의 양산 가능 시기는 2023년 하반기로 점쳐진다. 앞서 P1 라인이 2017년 하반기, P2 라인은 올해 안에 가동이 예정돼 있는데 이들 모두 ‘3년 주기’로 양산에 들어갔다.

P3 라인은 규모가 큰 만큼 투자금액도 역대 최대치로 전망된다. P3 라인보다 규모가 작은 P2 라인의 투자금액이 30조원 규모인 점을 고려하면 P3 라인은 30조원을 훌쩍 넘어설 것이란 관측이다. 삼성전자는 최근 메모리 공정전환과 EUV 미세공정 증설에 투자를 집중하고 있다.

권구성 기자 ks@segye.com

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