컨텐츠 바로가기

04.20 (토)

[한미정상회담 D-1] 삼성반도체 공장서 방명록 대신 '3나노 웨이퍼' 서명한다

댓글 첫 댓글을 작성해보세요
주소복사가 완료되었습니다


(서울=연합뉴스) 김동현 기자 = 조 바이든 미국 대통령의 방한 첫 일정인 삼성전자 평택 반도체공장 시찰에서 반도체 웨이퍼에 서명하는 행사가 진행될 것으로 알려졌다.

윤석열 대통령과 바이든 대통령은 20일 오후 바이든 대통령의 오산공군기지 도착 직후 삼성전자 평택공장을 방문한다.

두 정상은 이재용 삼성전자 부회장의 안내를 받으며 현재 가동 중인 1라인(P1)과 아직 건설 중인 3라인(P3) 등을 둘러볼 예정이다.

삼성전자는 바이든 대통령에게 조만간 양산에 돌입하는 차세대 GAA(Gate-All-Around) 기반 세계 최초 3나노미터(㎚=10억분의 1m) 반도체 시제품을 소개할 것으로 알려졌다.


두 정상은 이 3나노 반도체 웨이퍼에 서명할 계획이다. 웨이퍼는 반도체의 재료가 되는 얇은 실리콘 판이다.