삼성 세계최초 3세대 D램 개발

삼성전자가 세계 최초로 3세대 10나노급 D램 반도체를 개발했다고 21일 밝혔다. 2세대 D램을 개발한 지 16개월 만에 차세대 제품을 선보인 것이다. 1㎚(나노미터·10억분의 1m)는 머리카락 굵기의 10만분의 1이다.

21일 삼성전자에 따르면 3세대 D램 신제품은 이전 세대 제품보다 선폭(線幅)을 더 줄여서 만든 제품이다. 삼성전자는 3년 전 처음으로 회로 선폭을 10나노대로 줄인 D램을 생산하기 시작했다. 이 제품을 1세대로 정하고 이후 조금씩 선폭을 줄인 2·3세대를 연이어 내놓고 있다. 이번 3세대는 1세대와 비교하면 선폭이 10% 이상 줄었다. 삼성은 3세대 D램의 정확한 선폭을 수치로 밝히지는 않고 있다. 신제품은 올 하반기부터 본격 양산·판매한다.

메모리 반도체 업계에서 회로를 그리는 선폭이 미세할수록 기술 수준이 높은 것으로 본다. 선폭이 줄어들수록 웨이퍼 한 장에서 생산하는 D램의 개수가 많아지는 데다 반도체의 전력 소비량이 줄어든다. 저렴해진 원가로 더 좋은 품질의 제품을 만드는 셈이다. 삼성전자는 이번 신제품이 전 세대와 비교했을 때 생산성이 20% 늘었고 데이터 처리 속도는 빨라졌다고 밝혔다.

삼성전자 메모리사업부 이정배 부사장은 "미세공정의 한계를 극복하면서 차세대 메모리 반도체를 빠르게 출시하고 있다"며 "앞으로도 프리미엄 D램 라인업 확대에 지속적으로 투자해 미래 기술을 선도하겠다"고 말했다.

강동철 기자(charley@chosun.com)

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