미세공정 기술로 생산성·전력효율 향상…SK하이닉스, 2세대 10나노급 D램 개발

SK하이닉스가 2세대 10나노급 미세공정을 적용해 생산성과 전력효율을 높인 ‘8기가비트급 DDR4 D램 반도체’(사진)를 개발했다고 12일 밝혔다.

2세대 제품은 1세대 대비 생산성이 약 20% 향상됐다. 동일한 용량의 같은 재료로 20% 더 생산할 수 있다는 의미다. 전력 소비도 15% 이상 감축된다. 데이터 전송 속도 또한 DDR4 규격이 지원하는 최고 속도인 3200Mbps까지 구현 가능하다.

이번 8기가비트급 DDR4 D램에는 특히 데이터 전송속도를 높이기 위해 ‘4페이즈 클로킹(Phase Clocking)’이란 설계기술이 적용됐다. 이는 데이터를 전송할 때 주고받는 신호를 기존보다 2배로 늘려 동작 속도와 안정성을 높인 기술이다. 고속도로 톨게이트의 요금 정산소를 늘려 차량의 통행을 원활히 하는 것과 비슷한 원리다.

SK하이닉스는 또 전력소비를 줄이고 데이터 오류발생 가능성을 낮추기 위해 독자적인 ‘센스 앰프(Sense Amp) 제어 기술’도 적용했다. D램 셀에 전하(물체가 띠고 있는 정전기의 양) 형태로 저장된 데이터를 감지하고 증폭시켜 외부로 전달하는 센스 앰프의 성능을 높인 기술이다. D램에서는 센스 앰프 역할이 중요한데, 공정이 미세화될수록 트랜지스터의 크기도 줄어들어 데이터 감지에 오류가 적어지기 때문이다. SK하이닉스는 PC와 서버 시장을 시작으로, 모바일을 비롯한 다양한 응용처에 2세대 10나노급 미세공정 기술을 확대 적용할 방침이다.

임아영 기자 layknt@kyunghyang.com

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