삼성전자, 세계 최초 '128GB D램 모듈' 양산

[3차원 TSV(실리콘관통전극) 적층 기술 적용, 최대 용량과 초절전 특성 동시 구현]

삼성전자가 세계 최초로 3차원 TSV(실리콘관통전극) 적층 기술을 적용한 '128기가바이트(GB) 서버용(RDIMM) D램 모듈'을 본격 양산한다. 최대 용량과 초절전 특성을 동시에 구현한 게 특징이다.

삼성전자는 '128기가바이트 TSV D램 모듈' 양산으로 D램 용량 한계를 또 다시 돌파했다고 26일 밝혔다.

지난해 8월 TSV 기술로 '64기가바이트 DDR4(Double Data Rate 4) D램 모듈' 양산에 성공해 3차원 D램 시장을 창출한 데 이어 1년3개월 만이다.

TSV 기술은 D램 칩을 일반 종이 두께의 절반보다도 얇게 깎은 다음, 수백 개의 미세한 구멍을 뚫고, 상단 칩과 하단 칩의 구멍을 수직으로 관통하는 전극을 연결한 첨단 패키징 기술이다.

새 모듈은 삼성전자의 최신 20나노 공정을 적용한 8기가비트(Gb) DDR4 D램 칩 총 144개로 이뤄졌다. 외관상으로는 각 칩을 TSV적층 기술로 4개씩 쌓은 패키지 36개가 탑재된 모습이다.

TSV 기술은 기존 와이어(금선)를 이용한 패키지보다 신호 전송 특성이 우수할 뿐만 아니라 최적화된 칩 동작회로를 구성할 수 있다. 이 때문에 더 빠른 동작속도와 낮은 소비전력을 동시에 구현할 수 있다.

삼성전자 128기가바이트 TSV D램 모듈/사진제공=삼성전자

특히 이번 모듈은 기존 64기가바이트 D램 모듈에 비해 용량뿐만 아니라 속도도 2배 정도 빠른 2400Mbps(1초당 2400메가비트, 최대 3200Mbps)를 구현하면서도 소비전력량을 50% 줄일 수 있다.

삼성전자 관계자는 "이번 128기가바이트 TSV D램 모듈은 최고 용량뿐만 아니라 초고속, 초절전, 고신뢰성 등 사용자의 요구 사항을 모두 만족한다"며 "차세대 기업용 서버와 데이터센터를 위해 적합하다"고 밝혔다.

향후 삼성전자는 올해 중에 TSV 기술을 적용해 '128기가바이트 DDR4 LRDIMM(데이터센터·서버용 D램 모듈의 종류)’ 제품도 연이어 양산해 'TSV 풀라인업'을 제공할 계획이다. 초고용량 D램 수요 증가세에 맞춰 20나노 8기가비트 D램의 생산 비중을 빠르게 늘리겠다는 전략이다.

최주선 삼성전자 메모리사업부 전략마케팅팀 부사장은 "128기가 D램 모듈 양산으로 글로벌 IT 고객들이 투자 효율성을 더욱 높인 차세대 서버 시스템을 적기에 출시할 수 있게 됐다"며 "앞으로 다양한 분야의 시장 선도 고객들과 기술 협력을 확대하고 글로벌 IT 시장 변화를 가속화할 것"이라고 말했다.

한편 삼성전자는 TSV 기술을 활용해 대역폭을 크게 끌어올린 차세대 초고속 컴퓨팅용 HBM(고대역폭 메모리, High Bandwidth Memory) 제품에 이어 소비자 시장용 제품도 양산해 프리미엄 메모리시장 확대를 주도한다는 계획이다.

박종진 기자 free21@

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